半導體制造工藝中各類廢氣的產生主要來源于清洗、濕法刻蝕、光刻顯影、去膠、CMP等工藝。
在半導體制造過程中，廢氣的產生主要涉及以下幾個環(huán)節(jié)：
堿性廢氣主要來源于清洗、濕法刻蝕、光刻顯影、去膠、CMP等工藝，污染物包括NH3、NaOH等。這些廢氣通過噴淋洗滌處理，常用吸收液為H2SO4溶液進行處理，處理效率可達98%。
有機廢氣主要來源于清洗、CVD、光刻、濕法刻蝕、去膠及擴散等工藝。有機廢氣種類繁多，包括異丙醇、丙酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、乙酸丁酯、重芳烴等。處理技術主要包括活性炭吸附和沸石濃縮轉輪+焚燒，其中焚燒技術如蓄熱式燃燒(RTO)和直接燃燒(TO)的效率可達≥95%，但會增加CO2排放。
砷排處理含砷廢氣來源摻雜制程工序，廢氣包括砷烷、磷烷和硼烷。處理系統采用Local Scrubber預處理后，通過干式吸附，常用設備為砷磷烷吸附塔，吸附后通過末端風機負壓達標排放。
這些廢氣的產生與半導體制造工藝的復雜性密切相關，天得一作為一家專業(yè)的技術型環(huán)保企業(yè)，深耕廢氣治理已近20年，為客戶提供定制化廢氣治理系統解決方案，節(jié)能高效，歡迎客戶朋友們咨詢。
